講座主題：注氫純鋁中間隙型位錯(cuò)環(huán)一維遷移現(xiàn)象的原位觀(guān)察
專(zhuān)家姓名：李然然
工作單位：煙臺(tái)大學(xué)核裝備與核工程學(xué)院
講座時(shí)間：2022年10月6日下午2:30
講座地點(diǎn)：綜合樓617
主辦單位：煙臺(tái)大學(xué)核裝備與核工程學(xué)院
內(nèi)容摘要：
核聚變堆材料在高能粒子輻照過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量點(diǎn)缺陷，導(dǎo)致輻照脆性和輻照腫脹等現(xiàn)象。因而，研究點(diǎn)缺陷在輻照過(guò)程中的演變過(guò)程至關(guān)重要。點(diǎn)缺陷團(tuán)簇的一維遷移現(xiàn)象是這種演變過(guò)程的主要研究?jī)?nèi)容之一。
本報(bào)告采用普通低壓（200 kV）透射電鏡，在室溫條件下對(duì)注氫純鋁中的間隙型位錯(cuò)環(huán)在電子輻照下的一維遷移現(xiàn)象進(jìn)行了觀(guān)察和分析。首次發(fā)現(xiàn)了室溫條件下遷移距離達(dá)到微米級(jí)的間隙型位錯(cuò)環(huán)長(zhǎng)程一維遷移現(xiàn)象，遠(yuǎn)高于之前所報(bào)道的納米尺度的位錯(cuò)環(huán)一維遷移現(xiàn)象。提出并討論了位錯(cuò)環(huán)長(zhǎng)程一維遷移的形成理論：間隙原子濃度梯度是促使間隙型位錯(cuò)環(huán)發(fā)生長(zhǎng)程一維遷移的直接原因。在快速一維遷移的位錯(cuò)環(huán)一維遷移路徑中發(fā)現(xiàn)了襯度變化明顯的遷移軌跡。
主講人介紹：
姓名李然然，煙臺(tái)大學(xué)核裝備與核工程學(xué)院講師。主要從事核材料中純金屬和異質(zhì)界面材料中位錯(cuò)環(huán)的種類(lèi)以及遷移過(guò)程，以第一作者發(fā)表學(xué)術(shù)論文5篇。
